சிக்கல்களை அகற்ற எங்கள் கருவியை முயற்சிக்கவும்

இயக்க முறைமையைத் தேர்ந்தெடுக்கவும் திட்டத்தின் நிரலைத் தேர்வுசெய்க (விருப்பமாக)

உங்கள் பிரச்சினையை விவரிக்கவும்

MOSFET (மெட்டல் ஆக்சைடு செமிகண்டக்டர் ஃபீல்ட் எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்) டிரான்சிஸ்டர் என்பது ஒரு குறைக்கடத்தி சாதனம் ஆகும், இது மாறுதல் நோக்கங்களுக்காகவும் மின்னணு சாதனங்களில் மின்னணு சமிக்ஞைகளின் பெருக்கத்திற்கும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஒரு MOSFET என்பது ஒரு மைய அல்லது ஒருங்கிணைந்த சுற்று ஆகும், இது ஒரு சில்லில் வடிவமைக்கப்பட்டு புனையப்பட்டிருக்கிறது, ஏனெனில் சாதனம் மிகச் சிறிய அளவுகளில் கிடைக்கிறது. MOSFET சாதனத்தின் அறிமுகம் களத்தில் மாற்றத்தைக் கொண்டு வந்துள்ளது மின்னணுவியல் மாறுதல் . இந்த கருத்தின் விரிவான விளக்கத்துடன் செல்லலாம்.

MOSFET என்றால் என்ன?

MOSFET என்பது மூல (எஸ்), கேட் (ஜி), வடிகால் (டி) மற்றும் உடல் (பி) முனையங்களைக் கொண்ட நான்கு முனைய சாதனம் ஆகும். பொதுவாக, MOSFET இன் உடல் மூல முனையத்துடன் தொடர்புடையது, இதனால் புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர் போன்ற மூன்று முனைய சாதனத்தை உருவாக்குகிறது. MOSFET பொதுவாக ஒரு டிரான்சிஸ்டராகக் கருதப்படுகிறது மற்றும் அனலாக் மற்றும் டிஜிட்டல் சுற்றுகள் இரண்டிலும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது அடிப்படை MOSFET அறிமுகம் . இந்த சாதனத்தின் பொதுவான கட்டமைப்பு கீழே உள்ளது:

MOSFET

மேலே இருந்து MOSFET அமைப்பு , MOSFET இன் செயல்பாடு சேனலின் அகலத்தில் கேரியர்களின் ஓட்டத்துடன் (துளைகள் அல்லது எலக்ட்ரான்கள்) நிகழும் மின் மாறுபாடுகளைப் பொறுத்தது. சார்ஜ் கேரியர்கள் மூல முனையத்தின் வழியாக சேனலுக்குள் நுழைந்து வடிகால் வழியாக வெளியேறுகின்றன.

சேனலின் அகலம் ஒரு மின்முனையின் மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, இது கேட் என்று அழைக்கப்படுகிறது, மேலும் இது மூலத்திற்கும் வடிகால்க்கும் இடையில் அமைந்துள்ளது. இது மெட்டல் ஆக்சைட்டின் மிக மெல்லிய அடுக்குக்கு அருகில் சேனலில் இருந்து காப்பிடப்படுகிறது. சாதனத்தில் இருக்கும் MOS திறன் முழு செயல்பாடும் இதில் முக்கியமான பகுதியாகும்.

டெர்மினல்களுடன் MOSFET

ஒரு MOSFET இரண்டு வழிகளில் செயல்பட முடியும்

குறைப்பு முறை
விரிவாக்க முறை

குறைப்பு முறை

கேட் முனையத்தின் குறுக்கே மின்னழுத்தம் இல்லாதபோது, சேனல் அதன் அதிகபட்ச நடத்தைகளைக் காட்டுகிறது. கேட் முனையத்தின் குறுக்கே உள்ள மின்னழுத்தம் நேர்மறை அல்லது எதிர்மறையாக இருக்கும்போது, சேனல் கடத்துத்திறன் குறைகிறது.

உதாரணத்திற்கு

விரிவாக்க முறை

கேட் முனையத்தின் குறுக்கே மின்னழுத்தம் இல்லாதபோது, சாதனம் நடத்தாது. கேட் முனையத்தில் அதிகபட்ச மின்னழுத்தம் இருக்கும்போது, சாதனம் மேம்பட்ட கடத்துத்திறனைக் காட்டுகிறது.

விரிவாக்க முறை

MOSFET இன் செயல்பாட்டுக் கொள்கை

MOSFET சாதனத்தின் முக்கிய கொள்கை, மூல மற்றும் வடிகால் முனையங்களுக்கு இடையிலான மின்னழுத்தத்தையும் தற்போதைய ஓட்டத்தையும் கட்டுப்படுத்த முடியும். இது கிட்டத்தட்ட ஒரு சுவிட்ச் போலவே இயங்குகிறது மற்றும் சாதனத்தின் செயல்பாடு MOS மின்தேக்கியை அடிப்படையாகக் கொண்டது. MOS மின்தேக்கி MOSFET இன் முக்கிய பகுதியாகும்.

மூல மற்றும் வடிகால் முனையத்திற்கு இடையில் அமைந்துள்ள கீழேயுள்ள ஆக்சைடு அடுக்கில் உள்ள குறைக்கடத்தி மேற்பரப்பு முறையே நேர்மறை அல்லது எதிர்மறை வாயில் மின்னழுத்தங்களைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் p- வகையிலிருந்து n- வகைக்கு தலைகீழாக மாற்றப்படலாம். நேர்மறை வாயில் மின்னழுத்தத்திற்கு நாம் ஒரு விரட்டும் சக்தியைப் பயன்படுத்தும்போது, ஆக்சைடு அடுக்குக்கு கீழே இருக்கும் துளைகள் அடி மூலக்கூறுடன் கீழ்நோக்கித் தள்ளப்படுகின்றன.

ஏற்றுக்கொள்ளும் அணுக்களுடன் தொடர்புடைய கட்டுப்படுத்தப்பட்ட எதிர்மறை கட்டணங்களால் நிறைந்த பகுதி. எலக்ட்ரான்கள் அடையும் போது, ஒரு சேனல் உருவாக்கப்படுகிறது. நேர்மறை மின்னழுத்தம் n + மூலத்திலிருந்து எலக்ட்ரான்களை ஈர்க்கிறது மற்றும் சேனலுக்குள் வடிகட்டுகிறது. இப்போது, வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையில் ஒரு மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்பட்டால், மின்னோட்டம் மூலத்திற்கும் வடிகால்க்கும் இடையில் சுதந்திரமாகப் பாய்கிறது மற்றும் கேட் மின்னழுத்தம் சேனலில் உள்ள எலக்ட்ரான்களைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. நேர்மறை மின்னழுத்தத்திற்கு பதிலாக, நாம் எதிர்மறை மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்தினால், ஆக்சைடு அடுக்கின் கீழ் ஒரு துளை சேனல் உருவாகும்.

MOSFET தொகுதி வரைபடம்

பி-சேனல் MOSFET

பி-சேனல் மோஸ்ஃபெட் ஒரு பி-சேனல் பகுதியைக் கொண்டுள்ளது, இது மூல மற்றும் வடிகால் முனையங்களுக்கு இடையில் அமைந்துள்ளது. இது டெர்மினல்களை கேட், வடிகால், மூல மற்றும் உடல் எனக் கொண்ட நான்கு முனைய சாதனம் ஆகும். வடிகால் மற்றும் மூலமானது பெரிதும் அளவிடப்பட்ட p + பகுதி மற்றும் உடல் அல்லது அடி மூலக்கூறு n- வகை. மின்னோட்டத்தின் ஓட்டம் நேர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட துளைகளின் திசையில் உள்ளது.

கேட் முனையத்தில் எதிர்மறையான மின்னழுத்தத்தை நாம் விரட்டும் சக்தியுடன் பயன்படுத்தும்போது, ஆக்சைடு அடுக்கின் கீழ் இருக்கும் எலக்ட்ரான்கள் அடி மூலக்கூறில் கீழ்நோக்கி தள்ளப்படுகின்றன. நன்கொடை அணுக்களுடன் தொடர்புடைய நேர்மறையான கட்டணங்களால் மக்கள்தொகை குறைதல் பகுதி. எதிர்மறை கேட் மின்னழுத்தம் p + மூலத்திலிருந்து துளைகளை ஈர்க்கிறது மற்றும் சேனல் பகுதிக்கு வடிகால் பகுதி.

குறைப்பு முறை பி சேனல்

பி சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட பயன்முறை

N- சேனல் MOSFET

N- சேனல் MOSFET மூல மற்றும் வடிகால் முனையங்களுக்கு இடையில் ஒரு N- சேனல் பகுதியைக் கொண்டுள்ளது. இது டெர்மினல்களை கேட், வடிகால், மூல, உடல் என நான்கு முனைய சாதனமாகும். இந்த வகை புலம் விளைவு டிரான்சிஸ்டரில், வடிகால் மற்றும் மூலமானது பெரிதும் ஊக்கமளிக்கப்பட்ட n + பகுதி மற்றும் அடி மூலக்கூறு அல்லது உடல் பி-வகை.

இந்த வகை MOSFET இல் தற்போதைய ஓட்டம் எதிர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட எலக்ட்ரான்களால் நிகழ்கிறது. கேட் முனையத்தில் விரட்டக்கூடிய சக்தியுடன் நேர்மறை மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்தும்போது, ஆக்சைடு அடுக்கின் கீழ் இருக்கும் துளைகள் அடி மூலக்கூறில் கீழ்நோக்கித் தள்ளப்படுகின்றன. குறைப்பு பகுதி ஏற்றுக்கொள்ளும் அணுக்களுடன் தொடர்புடைய கட்டுப்படுத்தப்பட்ட எதிர்மறை கட்டணங்களால் நிறைந்துள்ளது.

எலக்ட்ரான்களை அடைந்தவுடன், சேனல் உருவாகிறது. நேர்மறை மின்னழுத்தம் n + மூலத்திலிருந்து எலக்ட்ரான்களை ஈர்க்கிறது மற்றும் சேனலுக்குள் வடிகட்டுகிறது. இப்போது, வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையே ஒரு மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்பட்டால், மூல மற்றும் வடிகால் இடையே மின்னோட்டம் சுதந்திரமாக பாய்கிறது மற்றும் கேட் மின்னழுத்தம் சேனலில் உள்ள எலக்ட்ரான்களைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. நேர்மறை மின்னழுத்தத்திற்கு பதிலாக நாம் எதிர்மறை மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்தினால், ஆக்சைடு அடுக்கின் கீழ் ஒரு துளை சேனல் உருவாகும்.

“ஒப் ஆம்ப் சர்க்யூட்டின் பரிமாற்ற செயல்பாடு ”

விரிவாக்க முறை N சேனல்

செயல்பாட்டின் MOSFET பகுதிகள்

மிகவும் பொதுவான சூழ்நிலையில், இந்த சாதனத்தின் செயல்பாடு முக்கியமாக மூன்று பிராந்தியங்களில் நிகழ்கிறது, அவை பின்வருமாறு:

கட்-ஆஃப் பிராந்தியம் - சாதனம் முடக்கப்பட்ட நிலையில் இருக்கும் பகுதி மற்றும் அதன் வழியாக தற்போதைய ஓட்டத்தின் பூஜ்ஜிய அளவு உள்ளது. இங்கே, சாதனம் ஒரு அடிப்படை சுவிட்சாக செயல்படுகிறது, மேலும் அவை மின் சுவிட்சுகளாக செயல்படத் தேவையானதைப் போலவே பயன்படுத்தப்படுகின்றன.
செறிவு மண்டலம் - இந்த பிராந்தியத்தில், வடிகால் முழுவதும் மின்னழுத்தத்தின் வளர்ச்சியை மூலமாகக் கருத்தில் கொள்ளாமல் சாதனங்கள் மூல மின்னோட்ட மதிப்புக்கு மாறிலியாக இருக்கும். மூல முனையத்திற்கு வடிகால் முழுவதும் மின்னழுத்தம் பிஞ்ச்-ஆஃப் மின்னழுத்த மதிப்பை விட அதிகமாக அதிகரிக்கும் போது இது ஒரு முறை மட்டுமே நிகழ்கிறது. இந்த சூழ்நிலையில், சாதனம் ஒரு மூடிய சுவிட்சாக செயல்படுகிறது, அங்கு வடிகால் முழுவதும் மூல முனையங்களுக்கு ஒரு நிறைவுற்ற மின்னோட்டம் பாய்கிறது. இதன் காரணமாக, சாதனங்கள் மாறுதல் செய்ய வேண்டியிருக்கும் போது செறிவு பகுதி தேர்ந்தெடுக்கப்படுகிறது.
நேரியல் / ஓமிக் பகுதி - வடிகால் முழுவதும் மூல முனையத்திற்கு மின்னோட்டத்தின் அதிகரிப்புடன் வடிகால் முழுவதும் மூல முனையத்திற்கு மின்னோட்டம் அதிகரிக்கும் பகுதி இது. இந்த நேரியல் பிராந்தியத்தில் MOSFET சாதனங்கள் செயல்படும்போது, அவை பெருக்கி செயல்பாட்டைச் செய்கின்றன.

இப்போது MOSFET இன் மாறுதல் பண்புகளை கருத்தில் கொள்வோம்

MOSFET அல்லது இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர் போன்ற ஒரு குறைக்கடத்தி அடிப்படையில் இரண்டு சூழ்நிலைகளில் சுவிட்சுகளாக செயல்படுகிறது, ஒன்று மாநிலத்தில் உள்ளது, மற்றொன்று OFF நிலை. இந்த செயல்பாட்டைக் கருத்தில் கொள்ள, MOSFET சாதனத்தின் சிறந்த மற்றும் நடைமுறை பண்புகளைப் பார்ப்போம்.

சிறந்த சுவிட்ச் பண்புகள்

ஒரு MOSFET ஒரு சிறந்த சுவிட்சாக செயல்பட வேண்டும் எனில், அது கீழே உள்ள பண்புகளை வைத்திருக்க வேண்டும், அவை

ON நிலையில், அது கொண்டு செல்லும் தற்போதைய வரம்பு இருக்க வேண்டும்
OFF நிலையில், மின்னழுத்த அளவுகளைத் தடுப்பது எந்தவிதமான வரம்புகளையும் கொண்டிருக்கக்கூடாது
சாதனம் ON நிலையில் செயல்படும்போது, மின்னழுத்த வீழ்ச்சி மதிப்பு பூஜ்யமாக இருக்க வேண்டும்
OFF நிலையில் உள்ள எதிர்ப்பு எல்லையற்றதாக இருக்க வேண்டும்
செயல்பாட்டின் வேகத்தில் எந்த கட்டுப்பாடுகளும் இருக்கக்கூடாது

நடைமுறை சுவிட்ச் பண்புகள்

உலகம் இலட்சிய பயன்பாடுகளில் மட்டும் சிக்கிக்கொள்ளாததால், MOSFET இன் செயல்பாடு நடைமுறை நோக்கங்களுக்காக கூட பொருந்தும். நடைமுறை சூழ்நிலையில், சாதனம் கீழே உள்ள பண்புகளை வைத்திருக்க வேண்டும்

ON நிலையில், சக்தி நிர்வகிக்கும் திறன்கள் மட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும், அதாவது கடத்தல் மின்னோட்டத்தின் ஓட்டம் கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும்.
OFF நிலையில், மின்னழுத்த அளவுகளைத் தடுப்பது மட்டுப்படுத்தப்படக்கூடாது
வரையறுக்கப்பட்ட நேரங்களுக்கு ஆன் மற்றும் ஆஃப் செய்வது சாதனத்தின் வரம்புக்குட்பட்ட வேகத்தை கட்டுப்படுத்துகிறது மற்றும் செயல்பாட்டு அதிர்வெண்ணைக் கூட கட்டுப்படுத்துகிறது
MOSFET சாதனத்தின் ON நிலையில், குறைந்தபட்ச எதிர்ப்பு மதிப்புகள் இருக்கும், இது முன்னோக்கி சார்புடைய மின்னழுத்த வீழ்ச்சியை விளைவிக்கும். மேலும், தலைகீழ் கசிவு மின்னோட்டத்தை வழங்கும் வரையறுக்கப்பட்ட OFF மாநில எதிர்ப்பு உள்ளது
சாதனம் நடைமுறை சிறப்பியல்புகளில் செயல்படும்போது, அது ஆன் மற்றும் ஆஃப் நிலைகளில் சக்தியை இழக்கிறது. மாற்றம் மாநிலங்களிலும் கூட இது நிகழ்கிறது.

ஒரு சுவிட்சாக MOSFET இன் எடுத்துக்காட்டு

கீழேயுள்ள சுற்று ஏற்பாட்டில், ஆன் மற்றும் ஆஃப் நிபந்தனைகளுடன் மாதிரி விளக்கை மாற்ற மேம்பட்ட பயன்முறை மற்றும் என்-சேனல் மோஸ்ஃபெட் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. கேட் முனையத்தில் உள்ள நேர்மறை மின்னழுத்தம் டிரான்சிஸ்டரின் அடிப்பகுதியில் பயன்படுத்தப்படுகிறது மற்றும் விளக்கு ON நிலைக்கு நகரும் மற்றும் இங்கே வி_{ஜி.எஸ்}= + v அல்லது பூஜ்ஜிய மின்னழுத்த மட்டத்தில், சாதனம் ஆஃப் நிலையில் V ஆக மாறுகிறது_{ஜி.எஸ்}= 0.

“காணக்கூடிய ஒளியின் அதிர்வெண் மற்றும் அலைநீள வரம்புகள் என்ன ”

மாஸ்ஃபெட் ஸ்விட்ச்

விளக்கின் எதிர்ப்பு சுமை ஒரு தூண்டல் சுமை மூலம் மாற்றப்பட்டு, சுமைக்கு பாதுகாக்கப்படும் ரிலே அல்லது டையோடு இணைக்கப்பட வேண்டும். மேலே உள்ள சுற்றில், விளக்கு அல்லது எல்.ஈ.டி போன்ற எதிர்ப்பு சுமைகளை மாற்றுவதற்கான மிக எளிய சுற்று இது. தூண்டல் சுமை அல்லது கொள்ளளவு சுமை கொண்ட ஒரு சுவிட்சாக MOSFET ஐப் பயன்படுத்தும் போது, MOSFET சாதனத்திற்கு பாதுகாப்பு தேவைப்படுகிறது.

MOSFET பாதுகாக்கப்படாத நிலையில், அது சாதனத்தின் சேதத்திற்கு வழிவகுக்கும். MOSFET ஆனது ஒரு அனலாக் மாறுதல் சாதனமாக செயல்பட, அதன் வெட்டு பகுதிக்கு இடையில் V ஐ மாற்ற வேண்டும்_{ஜி.எஸ்}= 0 மற்றும் செறிவு பகுதி வி_{ஜி.எஸ்}= + வி.

வீடியோ விளக்கம்

MOSFET ஒரு டிரான்சிஸ்டராகவும் செயல்பட முடியும், மேலும் இது மெட்டல் ஆக்சைடு சிலிக்கான் புலம் விளைவு டிரான்சிஸ்டர் என சுருக்கமாக அழைக்கப்படுகிறது. இங்கே, சாதனத்தை ஒரு டிரான்சிஸ்டராக இயக்க முடியும் என்று பெயரே சுட்டிக்காட்டியது. இது பி-சேனல் மற்றும் என்-சேனல் ஆகியவற்றைக் கொண்டிருக்கும். சாதனம் நான்கு மூல, கேட் மற்றும் வடிகால் முனையங்களைப் பயன்படுத்தி இணைக்கப்பட்டுள்ளது மற்றும் 24Ω இன் எதிர்ப்பு சுமை ஒரு அம்மீட்டருடன் தொடரில் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் ஒரு மின்னழுத்த மீட்டர் MOSFET முழுவதும் இணைக்கப்பட்டுள்ளது.

டிரான்சிஸ்டரில், வாயிலின் தற்போதைய ஓட்டம் நேர்மறையான திசையில் உள்ளது மற்றும் மூல முனையம் தரையில் இணைக்கப்பட்டுள்ளது. இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர் சாதனங்களில், தற்போதைய ஓட்டம் அடிப்படை-க்கு-உமிழ்ப்பான் பாதையில் உள்ளது. ஆனால் இந்த சாதனத்தில், தற்போதைய ஓட்டம் இல்லை, ஏனெனில் வாயிலின் தொடக்கத்தில் ஒரு மின்தேக்கி உள்ளது, அதற்கு மின்னழுத்தம் மட்டுமே தேவைப்படுகிறது.

உருவகப்படுத்துதல் செயல்முறையைத் தொடர்வதன் மூலமும், ஆன் / ஆஃப் செய்வதன் மூலமும் இது நிகழலாம். சுவிட்ச் இயக்கத்தில் இருக்கும்போது, சுற்று முழுவதும் தற்போதைய ஓட்டம் இல்லை, 24Ω மற்றும் 0.29 அம்மீட்டர் மின்னழுத்தத்தின் எதிர்ப்பை இணைக்கும்போது, இந்த சாதனம் முழுவதும் + 0.21 வி இருப்பதால், மூலத்தின் குறுக்கே மின்னழுத்த வீழ்ச்சியைக் காணலாம்.

வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையிலான எதிர்ப்பு RDS என அழைக்கப்படுகிறது. இந்த RDS காரணமாக, சுற்றுக்கு தற்போதைய ஓட்டம் இருக்கும்போது மின்னழுத்த வீழ்ச்சி தோன்றும். சாதனத்தின் வகையைப் பொறுத்து RDS மாறுபடும் (இது மின்னழுத்த வகையின் அடிப்படையில் 0.001, 0.005 மற்றும் 0.05 க்கு இடையில் மாறுபடும்.

கற்றுக்கொள்ள வேண்டிய சில கருத்துக்கள்:

1). ஸ்விட்சாக MOSFET ஐ எவ்வாறு தேர்வு செய்வது ?

MOSFET ஐ ஒரு சுவிட்சாகத் தேர்ந்தெடுக்கும்போது சில நிபந்தனைகள் உள்ளன, அவை பின்வருமாறு:

துருவமுனைப்பு பயன்பாடு பி அல்லது என் சேனல்
இயக்க மின்னழுத்தம் மற்றும் தற்போதைய மதிப்புகளின் அதிகபட்ச மதிப்பீடு
Rds ON ஐ அதிகரித்தது, அதாவது சேனல் முற்றிலும் திறந்திருக்கும் போது வடிகால் மூல மூல முனையத்தில் எதிர்ப்பு
மேம்படுத்தப்பட்ட செயல்பாட்டு அதிர்வெண்
பேக்கிங் வகை To-220 மற்றும் DPAck மற்றும் பலவற்றில் உள்ளது.

2). MOSFET சுவிட்ச் செயல்திறன் என்றால் என்ன?

மாஸ்ஃபெட்டை ஒரு மாறுதல் சாதனமாக இயக்கும் நேரத்தில் உள்ள முக்கிய கட்டுப்பாடு, சாதனம் திறன் கொண்டதாக இருக்கும் மேம்பட்ட வடிகால் தற்போதைய மதிப்பு. MOSFET இன் மாறுதல் திறனை தீர்மானிக்கும் முக்கியமான அளவுரு ON நிலையில் உள்ள RDS என்பது இதன் பொருள். இது வடிகால்-மூல மின்னழுத்தத்தின் வடிகால் மின்னோட்டத்தின் விகிதமாகக் குறிப்பிடப்படுகிறது. இது டிரான்சிஸ்டரின் ON நிலையில் மட்டுமே கணக்கிடப்பட வேண்டும்.

3). பூஸ்ட் மாற்றி மாஸ்ஃபெட் சுவிட்ச் ஏன் பயன்படுத்தப்படுகிறது?

பொதுவாக, ஒரு பூஸ்ட் மாற்றிக்கு சாதனத்தின் செயல்பாட்டிற்கு ஒரு மாறுதல் டிரான்சிஸ்டர் தேவை. எனவே, மாறுதல் டிரான்சிஸ்டர் MOSFET கள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. தற்போதைய மதிப்பு மற்றும் மின்னழுத்த மதிப்புகளை அறிய இந்த சாதனங்கள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. மேலும், மாறுதல் வேகம் மற்றும் செலவைக் கருத்தில் கொண்டு, இவை விரிவாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.

அதே வழியில், MOSFET ஐ பல வழிகளிலும் பயன்படுத்தலாம். அவை

எல்.ஈ.டிக்கு ஒரு சுவிட்சாக MOSFET
remove_circle_outline
Arduino க்கான சுவிட்சாக MOSFET
AC சுமைக்கு MOSFET சுவிட்ச்
டிசி மோட்டருக்கான மோஸ்ஃபெட் சுவிட்ச்
எதிர்மறை மின்னழுத்தத்திற்கான MOSFET சுவிட்ச்
Arduino உடன் சுவிட்சாக MOSFET
மைக்ரோகண்ட்ரோலருடன் சுவிட்சாக MOSFET
ஹிஸ்டெரெசிஸுடன் MOSFET சுவிட்ச்
சுவிட்ச் டையோடு மற்றும் செயலில் மின்தடையாக MOSFET
சுவிட்ச் சமன்பாடாக MOSFET
ஏர்சாஃப்டுக்கான மோஸ்ஃபெட் சுவிட்ச்
சுவிட்ச் கேட் மின்தடையாக MOSFET
மாஸ்ஃபெட் ஒரு மாறுதல் சோலனாய்டு
ஆப்டோகூப்பரைப் பயன்படுத்தி MOSFET சுவிட்ச்
ஹிஸ்டெரெசிஸுடன் MOSFET சுவிட்ச்

ஒரு சுவிட்சாக MOSFET பயன்பாடு

இந்த சாதனத்தின் முன்னணி எடுத்துக்காட்டுகளில் ஒன்று, இது ஒரு சுவிட்சாக பயன்படுத்தப்படுகிறது, இது தெரு விளக்குகளில் தானியங்கி பிரகாசம் கட்டுப்பாடு ஆகும். இந்த நாட்களில், நெடுஞ்சாலைகளில் நாம் கவனிக்கும் பல விளக்குகள் அதிக தீவிரம் கொண்ட வெளியேற்ற விளக்குகளைக் கொண்டுள்ளன. ஆனால் எச்.ஐ.டி விளக்குகளைப் பயன்படுத்துவது அதிகரித்த ஆற்றல் அளவைப் பயன்படுத்துகிறது.

தேவையின் அடிப்படையில் பிரகாசத்தை மட்டுப்படுத்த முடியாது, இதன் காரணமாக மாற்று விளக்கு முறைக்கு ஒரு சுவிட்ச் இருக்க வேண்டும், அது எல்.ஈ.டி. எல்.ஈ.டி அமைப்பைப் பயன்படுத்துவது அதிக தீவிரம் கொண்ட விளக்குகளின் தீமைகளை சமாளிக்கும். நுண்செயலியைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் நெடுஞ்சாலைகளில் விளக்குகளை நேரடியாகக் கட்டுப்படுத்துவதே இதன் கட்டுமானத்தின் பின்னணியில் இருந்த முக்கிய கருத்தாகும்.

ஸ்விட்சாக MOSFET பயன்பாடு

கடிகார பருப்புகளை மாற்றுவதன் மூலம் இதை அடைய முடியும். அவசியத்தின் அடிப்படையில், விளக்குகளை மாற்ற இந்த சாதனம் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது ஒரு ராஸ்பெர்ரி பை போர்டைக் கொண்டுள்ளது, அங்கு அதை நிர்வகிப்பதற்கான செயலியுடன் சேர்க்கப்பட்டுள்ளது. இங்கே, எல்.ஈ.டிகளை எச்.ஐ.டி-களுக்கு பதிலாக மாற்றலாம் மற்றும் இவை மோஸ்ஃபெட் மூலம் செயலியுடன் தொடர்பு கொண்டுள்ளன. மைக்ரோகண்ட்ரோலர் தொடர்புடைய கடமை சுழற்சிகளை வழங்குகிறது, பின்னர் அதிக அளவு தீவிரத்தை வழங்க MOSFET க்கு மாறுகிறது.

நன்மைகள்

நன்மைகள் சில:

குறைந்தபட்ச மின்னழுத்த மட்டங்களில் செயல்படும்போது கூட இது மேம்பட்ட செயல்திறனை உருவாக்குகிறது
கேட் மின்னோட்டத்தின் இருப்பு இல்லை, இது அதிக உள்ளீட்டு மின்மறுப்பை உருவாக்குகிறது, இது சாதனத்திற்கான மாறுதல் வேகத்தை மேலும் வழங்குகிறது
இந்த சாதனங்கள் குறைந்தபட்ச சக்தி மட்டங்களில் செயல்பட முடியும் மற்றும் குறைந்தபட்ச மின்னோட்டத்தைப் பயன்படுத்துகின்றன

தீமைகள்

குறைபாடுகள் சில:

இந்த சாதனங்கள் அதிக சுமை மின்னழுத்த மட்டங்களில் செயல்படும்போது, இது சாதனத்தின் உறுதியற்ற தன்மையை உருவாக்குகிறது
சாதனங்கள் மெல்லிய ஆக்சைடு அடுக்கைக் கொண்டிருப்பதால், இது மின்னியல் கட்டணங்களால் தூண்டப்படும்போது சாதனத்திற்கு சேதத்தை ஏற்படுத்தக்கூடும்

பயன்பாடுகள்

MOSFET இன் பயன்பாடுகள்

MOSFET ஆல் செய்யப்பட்ட பெருக்கிகள் விரிவான அதிர்வெண் பயன்பாடுகளில் மிகவும் பயன்படுத்தப்படுகின்றன
டிசி மோட்டர்களுக்கான ஒழுங்குமுறை இந்த சாதனங்களால் வழங்கப்படுகிறது
இவை மேம்பட்ட மாறுதல் வேகத்தைக் கொண்டிருப்பதால், இது இடைநிலை பெருக்கிகளின் கட்டுமானத்திற்கு சரியானதாக செயல்படுகிறது
பல்வேறு மின்னணு கூறுகளுக்கான செயலற்ற கூறுகளாக செயல்பாடுகள்.

முடிவில், டிரான்சிஸ்டருக்கு மின்னோட்டம் தேவை என்றும், MOSFET க்கு மின்னழுத்தம் தேவை என்றும் முடிவு செய்யலாம். BJT உடன் ஒப்பிடும்போது MOSFET க்கான ஓட்டுநர் தேவை மிகவும் சிறந்தது, மிகவும் எளிமையானது. மேலும் தெரியும் ஒரு சுவிட்சுக்கு ஒரு மோஸ்ஃபெட்டை எவ்வாறு கம்பி செய்வது?

புகைப்பட வரவு