சிக்கல்களை அகற்ற எங்கள் கருவியை முயற்சிக்கவும்

இயக்க முறைமையைத் தேர்ந்தெடுக்கவும் திட்டத்தின் நிரலைத் தேர்வுசெய்க (விருப்பமாக)

உங்கள் பிரச்சினையை விவரிக்கவும்

60 வாட், 120 வாட், 170 வாட் அல்லது 300 வாட் மின் உற்பத்தி (ஆர்.எம்.எஸ்) க்குள் எந்தவொரு வரம்பிற்கும் ஏற்றவாறு மாற்றியமைக்க அல்லது சரிசெய்யக்கூடிய ஒரு உலகளாவிய உயர் சக்தி பெருக்கியின் கட்டுமான விவரங்கள் குறித்து ஆழ்ந்த கலந்துரையாடலை இந்த இடுகை முன்வைக்கிறது.

வடிவமைப்பு

படம் 2 இல் உள்ள சுற்று வரைபடம் பற்றி கூறுகிறது அதிக சக்தி திறன் பெருக்கியின் வடிவம், இது 300 W ஐ 4 ஓம்களாக வழங்குகிறது. ஆற்றல் வெளியீட்டை மிதப்படுத்துவதற்கான அமைப்புகள் சந்தேகத்திற்கு இடமின்றி இடுகைக்குள் பேசப்படும்.

இந்த சுற்று MOSFET கள், T15 மற்றும் T16 ஆகிய இரண்டு தொடர்களை நம்பியுள்ளது, உண்மையில் ஒரு மாறுபட்ட பெருக்கியால் எதிர்ப்பு கட்டத்தில் இயக்கப்படுகிறது. MOSFET களின் உள்ளீட்டு எதிர்ப்பு 10 ஓம்களின் அளவைக் கொண்டிருப்பதால், இயக்கி மின் சக்தி உண்மையில் சாதாரணமாக இருக்க வேண்டும். MOSFET கள் விளைவாக மின்னழுத்தத்தால் இயக்கப்படுகின்றன.

இயக்கி நிலை முக்கியமாக T1 மற்றும் T3 மற்றும் T12 மற்றும் T13 உடன் ஆனது. எதிர்மறை d.c. வெளியீட்டு நிலை வழியாக கருத்து R22 மற்றும் எதிர்மறை a.c. பின்னூட்டம் R23 ---- சி 3.

A.c. மின்னழுத்த ஆதாயம் சுமார் 30 dB ஆகும். கீழே உள்ள கட்-ஆஃப் அதிர்வெண் C1 மற்றும் C3 இன் மதிப்புகளால் தீர்மானிக்கப்படுகிறது. முதல் வேறுபாடு பெருக்கியான T1, T2 இன் பணி நோக்கம் T3 வழியாக தற்போதைய ஸ்ட்ரீமிங்கால் திட்டமிடப்பட்டுள்ளது.

“சிம் கார்டு ஸ்டோர் டேட்டா செய்கிறது ”

T5 இன் கலெக்டர் மின்னோட்டம் தற்போதைய கண்ணாடி T3-T4 க்கான குறிப்பு மின்னோட்டத்தை உறுதி செய்கிறது. பரிந்துரைப்பு மின்னோட்டம் நிலையானது என்பதை உறுதிப்படுத்த, T5 இன் அடிப்படை மின்னழுத்தம் டையோட்கள் D4-D5 ஆல் நன்கு கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது.

T1-T2 இன் வெளியீடு T12-T13 என்ற மற்றொரு வேறுபட்ட பெருக்கியை இயக்குகிறது, அதன் சேகரிப்பான் நீரோட்டங்கள் வெளியீட்டு டிரான்சிஸ்டர்களுக்கான கேட் திறனை நிறுவுகின்றன. அந்த ஆற்றலின் அளவீட்டு T12-T13 இன் வேலை நிலையைப் பொறுத்தது.

தற்போதைய கண்ணாடி T9 மற்றும் T10 ஆகியவை டையோட்கள் D2-D5 உடன் ஒரே மாதிரியான செயல்பாட்டை முதல் வேறுபட்ட பெருக்கியில் T3-T4 மற்றும் D4-D5 ஆகக் கொண்டுள்ளன.

பரிந்துரைப்பு மின்னோட்டத்தின் முக்கியத்துவம் Tm இன் சேகரிப்பான் மின்னோட்டத்தால் வகைப்படுத்தப்படுகிறது, இது பெரும்பாலும் T11 இன் உமிழ்ப்பான் சுற்றுவட்டத்தில் P2 ஆல் திட்டமிடப்படுகிறது. இந்த குறிப்பிட்ட கலவையானது (உள்ளீட்டு சமிக்ஞை) இல்லாமல் தற்காலிக (சார்பு) மின்னோட்டத்தை மாதிரியாகக் கொண்டுள்ளது.

இடைவிடாத மின்னோட்டத்தின் உறுதிப்படுத்தல்

MOSFET கள் ஒவ்வொரு முறையும் அவற்றின் வடிகால் மின்னோட்டம் பெயரளவில் இருக்கும்போது ஒரு நேர்மறையான வெப்பநிலை குணகத்தைக் கொண்டிருக்கின்றன, இது பொருந்தக்கூடிய இழப்பீட்டின் மூலம் தற்காலிக (சார்பு) மின்னோட்டம் வெறுமனே பராமரிக்கப்படுவதை உறுதி செய்கிறது.

இது பெரும்பாலும் R17 இலிருந்து தற்போதைய கண்ணாடி T9-T10 க்கு மேல் கிடைக்கிறது, இதில் எதிர்மறை வெப்பநிலை குணகம் அடங்கும். இந்த மின்தடை வெப்பமடைந்தவுடன், அது T9 வழியாக குறிப்பு மின்னோட்டத்தின் ஒப்பீட்டளவில் கணிசமான சதவீதத்தை வரையத் தொடங்குகிறது.

இது T10 இன் கலெக்டர் மின்னோட்டத்தில் குறைவைக் கொண்டுவருகிறது, இது தொடர்ச்சியாக, MOSFET களின் கேட்-மூல மின்னழுத்தத்தைக் குறைப்பதைக் கொண்டுவருகிறது, இது MOSFET களின் PTC ஆல் தூண்டப்பட்ட மடிப்புகளை திறம்பட ஈடுசெய்கிறது.

வெப்ப மூழ்கிகளின் வெப்ப எதிர்ப்பால் பாதிக்கப்படக்கூடிய வெப்ப கால மாறிலி, உறுதிப்படுத்தப்படுவதற்கு தேவையான நேரத்தை தீர்மானிக்கிறது. P ஆல் நிர்ணயிக்கப்பட்ட தற்காலிக (சார்பு) மின்னோட்டம் +/- 30% க்குள் நிலையானது.

அதிக வெப்ப பாதுகாப்பு

T6 இன் அடிப்படை சுற்றுகளில் தெர்மோஸ்டர் R12 ஆல் அதிக வெப்பமடைவதற்கு எதிராக MOSFET கள் பாதுகாக்கப்படுகின்றன. தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட வெப்பநிலை எந்த நேரத்திலும் நிறைவேற்றப்பட்டால், தெர்மிஸ்டர் முழுவதும் உள்ள திறன் T7 ஐ செயல்படுத்த வழிவகுக்கிறது. அது நிகழும் போதெல்லாம், T8 குறிப்பு மின்னோட்டத்தின் கணிசமான பகுதியை T9-T11 மூலம் பெறுகிறது, இது MOSFET களின் வெளியீட்டு சக்தியை வெற்றிகரமாக கட்டுப்படுத்துகிறது.

வெப்ப சகிப்புத்தன்மை Pl ஆல் திட்டமிடப்பட்டுள்ளது, இது குறுகிய-சுற்று பாதுகாப்பின் வெப்ப மூழ்கும் வெப்பநிலைக்கு சமம். உள்ளீட்டு சமிக்ஞை நிகழும்போது வெளியீடு குறுகிய சுற்றுடன் இருந்தால், மின்தடையங்கள் R33 மற்றும் R34 முழுவதும் மின்னழுத்தத்தைக் குறைப்பது T14 ஆக வழிவகுக்கிறது இயக்கப்பட்டது.

இது T9 / T10 வழியாக மின்னோட்டத்தின் வீழ்ச்சியை ஏற்படுத்துகிறது, அதன்படி, T12 மற்றும் T13 இன் சேகரிப்பான் நீரோட்டங்கள். MOSFETS இன் பயனுள்ள வரம்பு பின்னர் கணிசமாகக் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, இதனால் மின்சாரம் சிதறல் மிகக் குறைவு என்பதை உறுதிசெய்கிறது.

நடைமுறையில் வடிகால் மின்னோட்டம் வடிகால்-மூல மின்னழுத்தத்தை நம்பியிருப்பதால், தற்போதைய கட்டுப்பாட்டு முறையை அமைப்பதற்கு கூடுதல் விவரங்கள் முக்கியம்.

இந்த விவரங்கள் மின்தடையங்கள் R26 மற்றும் R27 (முறையே நேர்மறை மற்றும் எதிர்மறை வெளியீட்டு சமிக்ஞைகள்) முழுவதும் மின்னழுத்த குறைவால் வழங்கப்படுகின்றன. சுமை 4 ஓம்களுக்கும் குறைவாக இருக்கும்போது, துவின் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் குறுகிய-சுற்று மின்னோட்டத்திற்கு பங்களிக்கும் அளவிற்கு குறைக்கப்படுகிறது, இது 3.3 ஏ க்கு உண்மையாக தடைசெய்யப்பட்டுள்ளது.

கட்டுமான விவரங்கள்

தி MOSFET பெருக்கி வடிவமைப்பு படம் 3. இல் வழங்கப்பட்ட பி.சி.பி-யில் கட்டமைக்கப்பட்டுள்ளது. இருப்பினும், கட்டுமானத்தைத் தொடங்குவதற்கு முன்பு, எந்த மாறுபாட்டிற்கு முன்னுரிமை அளிக்கப்படுகிறது என்பதை தீர்மானிக்க வேண்டும்.

படம் 2 மற்றும் படம் 3 இன் கூறுகளின் பட்டியல் எல் 60 வாட் மாறுபாட்டிற்கானவை. 60 W, 80 W, மற்றும் 120 W மாறுபாடுகளுக்கான சரிசெய்தல் அட்டவணை 2 இல் வழங்கப்பட்டுள்ளது. படம் 4 இல் குறிப்பிடப்பட்டுள்ளபடி, MOSFET கள் மற்றும் NTC கள் வலது கோணத்தில் நிறுவப்பட்டுள்ளன.

முள் இணைப்பு படம் 5 இல் கோடிட்டுக் காட்டப்பட்டுள்ளது என்.டி.சி. கள் நேராக M3- பரிமாணத்தில் திருகப்படுகின்றன, தட்டப்படுகின்றன (தட்டுதல் துரப்பணம் = 2.5 மிமீ), துளைகள்: நிறைய ஹீட்ஸின்க் கலவை பேஸ்டைப் பயன்படுத்துங்கள். மின்தடையம் Rza மற்றும் Rai ஆகியவை PCB இன் செப்புப் பக்கத்தில் உள்ள MOSFET களின் வாயில்களுக்கு நேரடியாக கரைக்கப்படுகின்றன. இண்டக்டர் எல் 1 மூடப்பட்டிருக்கும்

R36: கம்பி திறம்பட மின்காப்பு செய்யப்பட வேண்டும், முனைகள் முன்கூட்டியே தகரங்கள் R36 க்கு அடுத்ததாக திறப்புகளுக்கு கரைக்கப்படுகின்றன. மின்தேக்கி சி 1 ஒரு மின்னாற்பகுப்பு வகையாக இருக்கலாம், இருப்பினும் ஒரு எம்.கே.டி பதிப்பு சாதகமானது. T1 மற்றும் T2 இன் மேற்பரப்புகள் ஒருவருக்கொருவர் ஒட்டப்பட வேண்டும், அவற்றின் உடல் வெப்பம் தொடர்ந்து ஒரே மாதிரியாக இருக்க வேண்டும் என்ற நோக்கத்துடன்.

கம்பி பாலங்களை நினைவில் கொள்க. 160 வாட் மாடலுக்கான மின்சாரம் காட்டப்பட்டுள்ளது

படம் 6: துணை மாதிரிகளுக்கான மாற்றங்கள் அட்டவணை 2 இல் காட்டப்பட்டுள்ளன. ஒரு கலைஞரின் பொறியியல் பற்றிய கருத்து இதில் வழங்கப்பட்டுள்ளது

படம் 7. மின் அலகு கட்டப்பட்டவுடன், திறந்த-சுற்று வேலை மின்னழுத்தங்கள் சரிபார்க்கப்படலாம்.

டி.சி. மின்னழுத்தங்கள் +/- 55 V க்கு மேல் இருக்கக்கூடாது, இல்லையெனில் ஆரம்ப மின்சக்தியில் MOSFET கள் பூதத்தை விட்டுவிடும் அபாயம் உள்ளது.

பொருத்தமான சுமைகளைப் பெற முடிந்தால், சுமை கட்டுப்பாடுகளின் கீழ் மூலத்தை ஆராய்வது நிச்சயமாக சாதகமாக இருக்கும். மின்சாரம் நன்றாக இருப்பதை உணர்ந்தவுடன், அலுமினிய மோஸ்ஃபெட் அமைப்பு நேரடியாக பொருத்தமான வெப்ப மூழ்கிக்கு திருகப்படுகிறது.

“220v ஐ 110v ஆக மாற்ற முடியுமா? ”

படம் 8 வெப்ப மூழ்கிகளின் உயரம் மற்றும் அகலம் மற்றும் பெருக்கியின் ஸ்டீரியோ மாதிரியின் இறுதி வகைப்படுத்தலின் ஒரு நல்ல உணர்வை அளிக்கிறது.

எளிமைக்காக, முக்கியமாக சக்தி மூலத்தின் பகுதிகளின் நிலைப்பாடு நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளது. வெப்ப மூழ்கும் இடங்களும், அலுமினிய மோஸ்ஃபெட் அமைப்பும் (மற்றும், அநேகமாக, பெருக்கி அடைப்பின் பின்புறக் குழு) ஒன்றிணைக்கும் இடங்கள் வெப்பக் கடத்தும் பேஸ்டின் திறம்பட்ட மறைப்பை ஒதுக்க வேண்டும். இரண்டு கூட்டங்களும் ஒவ்வொன்றும் 6 M4 (4 மிமீ) அளவிலான திருகுகள் இல்லாத ஒருங்கிணைந்த வெப்ப மூழ்கிக்கு திருகப்பட வேண்டும்.

மின் வயரிங் படம் 8 இல் உள்ள வழிகாட்டி வரிகளுடன் உண்மையுடன் ஒட்ட வேண்டும்.

விநியோக தடயங்களுடன் (ஹெவி கேஜ் கம்பி) தொடங்குவது நல்லது. தொடர்ந்து, சக்தி சாதன நிலத்திலிருந்து பிசிபிக்கள் மற்றும் வெளியீட்டு மைதானத்திற்கு தரை இணைப்புகளை (நட்சத்திர வடிவ) நிறுவவும்.

அதன்பிறகு, பிசிபிக்கள் மற்றும் ஒலிபெருக்கி முனையங்கள் மற்றும் உள்ளீட்டு சாக்கெட்டுகள் மற்றும் பிசிபிக்களுக்கு இடையில் உள்ள கேபிள் இணைப்புகளை உருவாக்கவும். உள்ளீட்டு மைதானம் எப்போதுமே பி.சி.பி-யில் தரையில் மட்டுமே இணைக்கப்பட வேண்டும் - அவ்வளவுதான்!

அளவுத்திருத்தம் மற்றும் சோதனை

எஃப் 1 மற்றும் எஃப் 2 ஐ இணைப்பதற்கு பதிலாக, பிசிபியில் 10ohm, 0.25 W, மின்தடைகளை அவற்றின் இடத்தில் இணைக்கவும். முன்னமைக்கப்பட்ட பி 2 முற்றிலும் எதிரெதிர் திசையில் சரி செய்யப்பட வேண்டும், இருப்பினும் பி 1 அதன் சுழற்சியின் மையத்தில் திட்டமிடப்பட்டுள்ளது.

ஒலிபெருக்கி முனையங்கள் தொடர்ந்து திறந்தே இருக்கின்றன, அதே போல் உள்ளீடு குறுகிய சுற்றுடன் இருக்க வேண்டும். மெயின்களை அதிகப்படுத்துங்கள். பெருக்கியில் ஏதேனும் குறுகிய சுற்றுகள் இருக்க வேண்டுமானால், 10 ஓம் மின்தடையங்கள் எரிய ஆரம்பிக்கும்!

அது நடந்தால், உடனே அணைக்கவும், சிக்கலை அடையாளம் காணவும், மின்தடைகளை மாற்றவும், மீண்டும் ஒரு முறை சக்தியை இயக்கவும்.

எல்லாம் சரியாகத் தெரிந்த நிமிடத்தில், 10-ஓம் மின்தடையங்களில் ஒன்றில் ஒரு வோல்ட்மீட்டரை (3 V அல்லது 6 V d.c. வரம்பு) இணைக்கவும். அதன் குறுக்கே பூஜ்ஜிய மின்னழுத்தம் இருக்க வேண்டும்.

நீங்கள் கண்டால் பி 1 முற்றிலும் எதிரெதிர் திசையில் புரட்டப்படவில்லை. பி 2 சீராக கடிகார திசையில் மாற்றப்படும்போது மின்னழுத்தம் ஏற வேண்டும். 2 V இன் மின்னழுத்தத்திற்கு P1 ஐ அமைக்கவும்: அந்த வழக்கில் மின்னோட்டம் 200 mA ஆக இருக்கலாம், அதாவது: MOSFET க்கு 100 mA. துண்டிக்கவும், உருகிகளால் 10-ஓம் மின்தடையத்தை மாற்றவும்.

மீண்டும் சக்தியை இயக்கவும், பூமி மற்றும் பெருக்கி வெளியீட்டிற்கு இடையிலான மின்னழுத்தத்தை சரிபார்க்கவும்: இது நிச்சயமாக +/- 20 mV ஐ விட அதிகமாக இருக்காது. நோக்கம் கொண்ட செயல்பாட்டுக்கு தயாரிக்கப்பட்ட பிறகு பெருக்கி.

“சிக்னல் ஜாமரை உருவாக்குவது எப்படி ”

ஒரு முடிவுக்கு வரும் புள்ளி. முன்னர் விளக்கியது போல, அதிக வெப்பமூட்டும் பாதுகாப்பு சுற்றுகளின் வழிகாட்டுதலை மாற்றுவது சுமார் 72.5 for C க்கு ஒதுக்கப்பட வேண்டும்.

வெப்ப மடுவை சூடாக்குவதன் மூலம் இதை எளிதாக தீர்மானிக்க முடியும், எ.கா., ஹேர் ட்ரையர் மூலம் மற்றும் அதன் வெப்பத்தை மதிப்பிடுவதன் மூலம்.

எப்படியிருந்தாலும், இது சரியாக அவசியமில்லை: பி 1 ஐ அதன் டயலின் நடுவில் சரி செய்ய அனுமதிக்கலாம். பெருக்கி அடிக்கடி அணைக்கப்பட்டால் மட்டுமே அதன் நிலைமை மாற்றப்பட வேண்டும்.

இருப்பினும், அதன் நிலைப்பாடு எந்தவொரு கணக்கிலும் நடுத்தர இடத்திலிருந்து தொலைவில் இருக்கக்கூடாது.

உபயம்: elektor.com